掲載日：2025.6.26
高電圧SiCスイッチの活用により、立ち上がり速度100 ns以下の超高速パルスを発生させる電源です
ネクスファイ・テクノロジー（株） 絶縁試験用ナノインパルス発生器
最先端のSiC半導体を活用することにより、10 kV以上の高電圧や100 A以上の大電流を高速で出力できるパルス発生器です。ツイストペアの寿命試験から、絶縁体・半導体・導体の電気ストレス試験などさまざまな応用にご利用いただけます。
主な特長
ネクスファイ社のパルス発生器は10 kHz以上の連続運転型と、1 kpps（毎秒1000パルス）以下の間欠運転型に分けられます。
連続運転型ではIEC規格に対応したツイストペアの寿命試験や、セラミックや絶縁体の連続高電圧印加試験が可能です。たとえば図のように正負3 kV, 100 kHzの連続運転が可能であり、ツイストペアの高繰り返し寿命試験が可能で、消費電力を抑えた卓上型サイズです。また10 kV, 10 kHzの高速立ち上がりモデルでは10 kVまで約50 ns程度で立ち上がります。
間欠運転型では必要となるエネルギーを低減できるため、連続運転型では難しい大電流運転や、パルス幅1 μs以下の超高速パルス生成が可能です。たとえば図のように正負5 kV, 200 nsの超高速パルスを出力することができます。また2 kAをこえる電流ピークを出力することも可能です。
卓上型から19インチラック据え置き型までさまざまな製品群を取り揃えております。高速高電圧・大電流パルス発生器についてはネクスファイ社にご用命ください。
