終了)Scideamセミナー2023 SiC/GaNを使った回路設計の為の損失解析セミナー

掲載日:2023.9.3

SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーターの重要性が高まっています。
本セミナーではSiC/GaNのモデルを使用しMATLAB/Simulinkとも連動可能な回路シミュレーターScideamでの損失解析の手法、注意点をユーザー事例を交えながら解説していきます。

開催概要

セミナー名 Scideamセミナー2023 SiC/GaNを使った回路設計の為の損失解析セミナー
対象者 ・パワーエレクトロニクス制御の技術担当者

・回路シミュレータに興味のある方、または導入を検討してる方

講 師 ・名古屋大学 未来材料・システム研究所 研究員  米澤 遊 氏

・株式会社スマートエナジー研究所代表取締役社長  中村 創一郎 氏

・Scideam/SCALE開発者 スマートエナジー研究所技術顧問   崇城大学名誉教授  中原 正俊 氏

開催日時 2023年10月05日(木)14時00分~15時30分
会 場 Webセミナー(Zoomによるオンライン開催)
共 催 株式会社スマートエナジー研究所
定 員 500名
参加費 無料(事前登録制)

タイムテーブル

セミナー所要時間:約90分予定(14時~15時30分)
アジェンダ 1.開催のご挨拶(5分)

 

2.基調講演 ユーザー事例発表「ScideamによるTotem-Pole PFCのモデルベース開発」(35分)

名古屋大学 未来材料・システム研究所 研究員  米澤 遊 氏

 

概要:SiC/GaNデバイスに適したTotem-pole PFCをモデルベース開発の技術により設計・実装する事例を紹介します。

ScideamとMATLAB/Simulinkを組み合わせた制御設計および、コード生成技術によるソフトウエア開発の技術を

解説します。

 

3.Scideamで実現する電源の損失解析フロントローディング(25分)

株式会社スマートエナジー研究所 代表取締役社長 中村 創一郎氏

 

4.SiC/GaN-FETスイッチング電源の損失解析(25分)

Scideam/SCALE開発者 スマートエナジー研究所技術顧問   崇城大学名誉教授  中原 正俊氏

 

※各セッションとも講演終了後に約5分間の質疑応答時間を設けています。

講師略歴のご紹介

名古屋大学

未来材料・システム研究所

研究員  米澤 遊 氏

1998年、東北電子産業に入社し電子回路設計に従事、2005年に石巻専修大学物質機能工学研究科博士課程を修了。
2005年から富士通メディアデバイス株式会社にてマイクロマシン、電源モジュールの研究開発に従事、2008年から富士通研究所にてICT機器の電源技術開発、モデルベース開発手法の研究に取り組んだ。
その後富士通アドバンストテクノロジにて電源技術に関連するビジネスを経験。
2021年から名古屋大学、未来材料システム研究所の研究員としてGaNデバイス応用技術および、モデルベース開発技術の研究に取り組んでいる。また同2021年に株式会社モデルコア研究所を設立し、顧問として活動中。
株式会社スマートエナジー研究所

代表取締役社長

中村 創一郎 氏

会社創業以来10年以上、デジタル制御電源とモデルベース開発に従事。モデルベース開発やシステムズエンジニアリングを用いて、系統連系インバータや双方向コンバーターなどのデジタル制御電源開発を行う。

Scideam/SCALE開発者

スマートエナジー研究所技術顧問

崇城大学名誉教授

中原 正俊 氏

1993年~2018年まで崇城大学でスイッチング電源の研究に携わり、電源パワエレ向け回路シミュレータSCAT・SCALEの開発を行う。以降、スマートエナジー研究所にてScideamの技術顧問に従事。